论文部分内容阅读
快中子脉冲辐射将在双极器件中导入Frandel缺陷，这严重地降低了双极IC的性能，但这些缺陷的一部分能很快自动消除，从而又使器件性能部分恢复，这主要表现为器件的β陡然降低，然后再呈指数形缓慢回升，最后达到一稳定降低点。这个过程常用一退火因子AF(t)描述。该文将从缺陷产生及退火机理出发推导出器件β在中子脉冲作用下随AF(t)及电荷浓度变化的数学模型。并提出用该模型进行计算机模拟的方法。同时呈现器件中子脉冲作用下退火规律研究的实验方法。