双极型器件相关论文
针对“SOI放大器型谱”项目设计中对高压SOI双极型器件交流模型参数的需要，探讨了一种利用商用BSIMPro参数提取程序进行SOI双极......
该文提出利用ＳｉＧｅ肖特基ＨＢＴ器件在高频、高速方面的优势提高硅双极型器件的微波功率特性；在解决了在ＳｉＯ〈，２〉窗口上生长高质量大面积ＳｉＧｅ薄膜等关键......
快中子脉冲辐射将在双极器件中导入Frandel缺陷，这严重地降低了双极IC的性能，但这些缺陷的一部分能很快自动消除，从而又使器件性能部......
该文对一种采用ＣＭＯＳ工艺的混合双极－ＭＯＳ（ＢＭＨＭＴ）器件和电路进行研究，与普通ＭＯＳ器件相比，它具有低阈值电压，高跨导和驱动电流大等优点，可以代替双极型器件作......
位于Ｓｉ／ＳｉＯ２界面附近的个有长时间常数的载流陷阱对于半导体器件的可靠性有重要影响。根据笔者建立的双极晶体管表面１／ｆ噪声分析模型，通过测量......
为了解决航天用双极型模拟集成电路的电离总剂量效应评估问题,结合基于失效物理的半导体器件仿真方法,提出了基于失效物理的双极型......
结合新材料、新理论的发展，从单极型、双极型和混合型器件性能比较的角度来讨论电力半导体器件在新世纪的发展特点。......
本文在分析轨道环境参数、地面模拟试验因素等影响的基础上,应用不同能量质子、电子、Br离子及Co-60 ?射线作为辐照源,研究了国产N......
随着空间技术、核技术和战略武器技术的发展,各种电子设备已经广泛用于人造卫星、宇宙飞船、运载火箭、远程导弹和核武器控制系统......
功率半导体器件是当下建设绿色节能型社会的一项关键技术。从电能的产生、输运到应用,功率半导体器件都发挥着至关重要的作用,而且......
随着空间技术的发展，双极型器件和线性电路被广泛应用于辐射环境。从钝化层辐射损伤机理出发，介绍辐射诱生钝化层固定电荷与界面态的......
