【摘 要】
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采用霍尔源离子辅助沉积(IAD)技术制备了ZnS/MgF2多层膜窄带干涉滤光片,并与常规沉积条件下制备的样品做了比较。发现离子辅助明显地的减小了滤光片的光谱漂移(Δλ),实测漂
【机 构】
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浙江大学现代光学仪器国家重点实验室;
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采用霍尔源离子辅助沉积(IAD)技术制备了ZnS/MgF2多层膜窄带干涉滤光片,并与常规沉积条件下制备的样品做了比较。发现离子辅助明显地的减小了滤光片的光谱漂移(Δλ),实测漂移Δλ<0.5nm,光谱稳定性得到很大提高。计算了滤光片中MgF2膜层的聚集密度,离子辅助使MgF2的聚集密度从常规条件下的0.70提高到0.97,增幅达38%。同时发现间隔层对光谱漂移的影响最大,越远离间隔层的膜层,其影响越小。提高基板温度对改善光谱漂移影响不大。
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