【摘 要】
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本研究旨在探討多晶陶瓷BaWO4 在束縛燒結下的緻密行為.束縛層的存在會造成在層與層間產生平面張應力,消耗掉部分的燒結驅動力,所以在相同條件下,束縛燒結的BaWO4 緻密速率會較其在自由燒結的緻密速率更小,且最後的緻密度也較低.透過在Z 軸方向施加壓應力,可提升BaWO4 的緻密度.在相對燒結密度0.6-0.75 的範圍內,若欲使BaWO4 束縛燒結具有與自由燒結相同的緻密速率,測量到的所需壓力範
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本研究旨在探討多晶陶瓷BaWO4 在束縛燒結下的緻密行為.束縛層的存在會造成在層與層間產生平面張應力,消耗掉部分的燒結驅動力,所以在相同條件下,束縛燒結的BaWO4 緻密速率會較其在自由燒結的緻密速率更小,且最後的緻密度也較低.透過在Z 軸方向施加壓應力,可提升BaWO4 的緻密度.在相對燒結密度0.6-0.75 的範圍內,若欲使BaWO4 束縛燒結具有與自由燒結相同的緻密速率,測量到的所需壓力範圍為0.1-2.4MPa,與構成方程式的計算值大致相符.
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本研究以溶膠凝膠法製備ZnCo2O4 薄膜,先以旋轉塗佈法將薄膜鍍於石英基材上,之後將薄膜置放於氧氣氣氛下以350～500℃退火2 小時.由X 光繞射分析結果顯示350～500℃退火條件下,為單一相的ZnCo2O4,而且ZnCo2O4 薄膜的光學能隙在2.47～2.50 eV 之間,其最佳穿透率為66％～80％.ZnCo2O4 薄膜的電阻率為160-1760Ωcm 之間,相對應的載子濃度為4×10
近年來AlN(Aluminium Nitride)被廣泛的應用,因為它擁有良好的絕緣電阻(＞1016Ω·m)、高熱傳導係數(320 W/m · k)、低熱膨脹係數(20～500℃,4.6×10-6/k)且無毒性等.因為這些優良的特性,AlN 被廣泛的使用在電子材料基材上.本實驗利用溶膠凝膠法配製AlN 凝膠,以旋轉塗佈方式披覆於商業用氧化鋁基板上,探討披覆層之相變化、顯微結構、機械性質與粗糙度等影
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本文主要探討以溶膠凝膠法合成之鋰摻雜鈮酸鈉鉀薄膜.實驗結果顯示，鋰摻雜有效改善鈮酸鈉鉀薄膜之微結構與化學鍵結，進而提升薄膜的電特性.當鋰摻雜為4 原子百分比(at％)時，薄膜之殘餘極化量可達14.3(□)C/cm2、壓電係數達到48.1 pm/V、漏電流小於10-5 A/cm2.此外，薄膜的傳導機制在低電場時呈現歐姆特性(Ohmicbehavior)、在高電場時呈現普爾-弗蘭克爾(Poole-Fr
根據過去的文獻指出，鋯摻雜之鈦酸鋇介電陶瓷材料相較於一般傳統鈦酸鋇具有較高的能隙(band gap)以及較高的還原焓(enthalpy of reduction)，使其擁有較佳之可靠度，本研究利用固態反應法製備鋯摻雜之鈦酸鋇粉末 Ba(ZrxTi1-x)0.999O3(x= 0、0.06、0.12及0.18)，探討其成分改變對晶體結構與顯微結構之變化，並利用交流阻抗分析模擬陶瓷體內部晶粒與晶界之變
本論文主要是在探討 Li2Ca2W3O12 陶瓷材料的微結構以及其微波介電特性.由實驗結果可得知,Li2Ca2W3O12 在其燒結溫度為620～700 ℃時,其介電常數(εr)落在6.45～7.19 以及 Q×f 值落在1,966～45,294 GHz.而當燒結溫度為680 ℃持溫4 小時的狀況下有最好的結果,可得介電係數(εr)7.32、Q×f 值45,294 GHz 以及τf 值-53.6 p
本研究採用射頻磁控濺鍍法製備CaLa4(Zr0.05Ti0.95)4O15 薄膜.本實驗在沉積壓力3mTorr、射頻功率100W、基板溫度300℃、氧氣壓力0％、10％、20％濺鍍30 分鐘，且退火溫度800℃/1hr 和900℃/1hr 的狀態下.藉由X-射線衍射(XRD)、掃描電子顯微鏡(SEM)分別探討不同製程參數條件下的物理特性及介電特性的影響.當薄膜於功率100W、基板溫度300℃、退火
本研究結合兩種玻璃-陶瓷(CaO-Al2O3-SiO2,CaO-B2O3-SiO2),已達到能夠同時於短時間緻密及結晶的低溫共燒陶瓷系統.此雙元玻璃-陶瓷系統的主要結晶相為wollastonite.當添加適當比例之氧化鋁至此系統中,結晶相anorthite 生成並抑制了wollatonite 相的析出,其反應機制為氧化鋁溶解於玻璃中形成富鋁層,進而生成anorthite 相.而後進行此系統之結晶動
此篇研究主題為在軟性基板上成長高導電、高透光之氧化物。作為氧化銦錫(ITO)的絕佳替代材料，我們選擇鋁摻雜氧化鋅(AZO)，透過凡德瓦磊晶機制，成長於白雲母上，並利用透過X 光繞射分析，鑑定薄膜晶體結構。在光學與電子特性部分，則使用紫外光-可見光-紅外光光譜分析儀與霍爾效應量測儀進行分析。另外，為了能應用於可撓式元件，我們也進行了彎曲電性分析。 我們的研究驗證了此軟性基板上之AZO 薄膜具有高透光
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