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该文介绍高分辨率电子能量损失谱仪（ＨＲＥＥＬＳ）对ｎ和ｐ型ＩｎＳｂ（１００）表面声子和等离子激发的研究结果。等离子能量随离子溅射后退火温度以及入射电子能量的变化表明：低能离子（５００Ｖ）清洗造成的表面结构损伤可以延伸到８００－１０００Ａ°，低能离子溅射后退火处理在ｎ型和ｐ型ＩｎＳｂ近表面形成一个ｎ型层，额外自由载流子可能与Ｓｂ空位等缺陷献主那样的能级有关。文中最后给出一个ＩｎＳｂ（１００）近表面的能级图模型。（本刊录）