智能剥离SOI材料的制备过程研究

来源 :第六届全国抗辐射电子学与电磁脉冲学术交流会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:guangtoucx
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用积聚式缓慢地退火方法在较低的温度下(390℃)成功地获得了用智能剥离技术形成的SOI结构。用红外透射成象技术分析了智能剥离的准动态过程。由于H在硅中对硅器件的抗辐照性能有很大影响,用红外付立叶谱分析了注入在硅中的H离子在剥离过程中的行为,表明没有明显的Si-H键的存在。
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