【摘 要】
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采用一次烧成工艺制备出掺Ni离子的SrTiO复合功能陶瓷,测量了不同氧化热处理温度下样品的介电性能和压敏性能,运用AC阻抗谱研究了SrTiO陶瓷晶粒和晶界的电学特性,并对样品进
【出 处】
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第二届海内外中华青年学者材料科学技术研讨会暨第七届全国青年材料科学研讨会
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采用一次烧成工艺制备出掺Ni<2+>离子的SrTiO<,3>复合功能陶瓷,测量了不同氧化热处理温度下样品的介电性能和压敏性能,运用AC阻抗谱研究了SrTiO<,3>陶瓷晶粒和晶界的电学特性,并对样品进行了XPS分析.研究结果表明,氧化热处理过程中氧对晶粒表面氧空位的填充以及Ni<2+>离子对晶粒表面Ti<4+>离子的低价取代,是形成晶界Schottky势垒并产生复合功能特性的重要因素.随着氧化热处理温度的提高,样品的非线性系数α和压敏电压V<,IMA>不断增大,而表观介电常数ε<,eff>和介电损耗tgδ则趋于降低.
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