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高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和电池方面具有巨大的优势.采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到3.2A/s,晶化率达58.2％.把这种高速生长的微晶硅材料用作太阳电池的本征吸收层,通过调整工艺参数,电池的转换效率达到4.8％.
微晶硅材料和电池的高速生长
【摘 要】
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高气压耗尽RF-PECVD在高速生长优质微晶硅材料和电池方面具有巨大的优势.采用这种沉积方法,本征微晶硅材料的生长速度提高到3.2A/s,晶化率达58.2％.把这种高速生长的微晶硅材料
【机 构】
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南开大学光电子所(天津市)
【出 处】
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第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会
【发表日期】
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2003年期
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