银催化腐蚀多孔硅制备及其在硅太阳电池上的应用

来源 :第十四届中国光伏大会暨2014中国国际光伏展览会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:yizaiyouzhe
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  我们使用贵金属银纳米颗粒催化腐蚀法,在n 型硅片表面制备纳米多孔硅减反射结构,并采用p 型太阳电池生产工艺制备得到n 型黑硅背结太阳电池.我们取得了以下结果:我们探索了一种新型高效电池的制备工艺,能够与现在p 型太阳电池生产工艺相匹配.此外我们制备的纳米多孔硅结构具有非常好的减反射效果,得到的平均反射率最低为1.9%.
其他文献
多结叠层太阳电池是有不同带隙的pn或pin半导体串联而成.在辐照强度、温度不变的情况下,光源的光谱分布发生变化时,电池的限流层可能发生变化,从而影响太阳电池的功率输出.由
会议
光伏组件的电位诱发衰减(Potential Induced Degradation,PID)现象普遍认为存在于晶体硅光伏组件中.PID现象会造成组件的光伏性能的持续衰减,引起的组件功率衰减有时甚至超过
硅基薄膜电池在BIPV的应用上经常会碰到色差问题,而对于建筑来说外观是非常重要的,所以减小色差也就成了硅基薄膜电池的一个重要课题.本文分析了两种典型硅基薄膜电池的色差
会议
为了获得高效率的a-Si/a-SiGe/μc-Si三结叠层电池,本文分别对背反射电极、高开路电压a-Si顶电池、高效率a-SiGe中间电池以及μc-Si底电池进行了研究.首先采用溅射绒面金属Ag
会议
采用甚高频等离子体增强型化学气相沉积(VHF-PECVD)法,在面积为1245mm×635mm的玻璃衬底上,制备a-Si∶H单结太阳电池.系统地研究了氢稀释比、沉积压力、沉积功率、沉积温度等
由交通部公路科学研究所和吉林市自动化仪表成套设备总厂、航天部第一计量测试研究所技术开发联合体共同研制的 HJB—1型自动混合料拌和机和试验室用手动碾于1987年2月28日
本文采用具有良好的各项异性腐蚀特性、腐蚀速率高且无金属离子污染的四甲基氢氧化氨(TMAH)方法制备金字塔绒面,通过采用扫描电子显微镜和光学反射谱测试技术探索了不同腐蚀条
考虑到氢氟酸溶液对晶体硅表面具有去氧化和氢离子钝化表面悬键的双重作用,通过改善工艺得到了有效少子寿命2ms的钝化效果.研究了不同沉积温度对p型非晶硅薄膜电导率的影响,
会议
置身于高度审美、富有创造性以及豪华的零售环境中,通过触摸、感官甚至有时是嗅觉与商品之间互动,这种奢华购物的体验也只有逛店才会有。零售店在整个豪华购物体验中起到了非