Hg1-xMnxTe单晶的带边变温吸收特性和受主杂质电离能

来源 :中国物理学会2011年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：wyj132

【摘要】

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Hg1-xMnxTe 是一种典型的窄禁带Mn 基Ⅱ-Ⅵ 族磁性半导体材料(Semimagnetic Semiconductors),并已应用在红外光电探测器、发光二极管和半导体激光器等应用领域[1-5],此外由于磁性Mn 离子的引入,Hg1-xMnxTe 还具有制备半导体自旋器件以及实现固态量子计算的潜在应用.

【作者】

：

朱亮清邵军林铁褚君浩

【机构】

：

中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室,上海,200083

【出处】

：

中国物理学会2011年秋季学术会议

【发表日期】

：

2011年9期

【关键词】

：

磁性半导体 Fuorier 变换红外光谱带边吸收杂质电离能

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