SOI器件辐射敏感性模拟研究

来源 :2014`全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会暨第七届中国微纳电子技术交流与学术研讨会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:fencer_200
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随着器件工艺尺寸的不断缩小,单粒子效应敏感区域相对有源区比例增加,对于如何降低单粒子效应的研究显得越来越重要.绝缘体上硅(SOI)技术一直以来被用于集成电路的单粒子加固,本文利用软件分别对SOI PMOSFET和体硅PMOSFET的单粒子瞬态进行了模拟.重点研究了SET脉冲宽度在两种器件表面的分布状态,以及阱接触对SET脉冲宽度分布区域的影响,并对模拟结果以及影响机理进行了分析和阐述.
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