【摘 要】
：
通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅
【机 构】
：
中科院半导体所 照明研发中心,北京 100083
【出 处】
：
第十五届全国化合物半导体材料、微波器件和光电器件学术会议
论文部分内容阅读
通过金属气相沉积法在(0001)蓝宝石衬底上生长了10 μm厚的ZnO膜。利用变温Hall,SIMS和PL谱对退火前后ZnO样品的电学性质进行了研究。通过变温Hall测试结果发现ZnO 中存在浅施主能级,退火前样品的热激活能只有13meV；退火后为31meV。SIMS测试结果表明退火前后样品中没有出现新的杂质能级。退火前样品只有带边发光,退火后带边发光几乎消失,出现了强的绿光峰。结合SIMS和PL谱。我们认为31meV可能是氧空位(Vo)点缺陷的浅施主能级：530nm的绿光峰来自于Vo的深施主能级。而13meV的浅施主能级则可能是与位错等结构缺陷有关。
其他文献
目前对ZnO的紫外探测器研究比较多,尤其是目盲区探测(4.4-5.6eV),而MgxZn1-xO六方相的合金薄膜具有在3.3eV-5.0eV可调节,所以有必要制备和研究日盲区段的MgxZn1-xO薄膜。采用
利用分子束外延技术在蓝宝石衬底上生长出未掺杂和氮(N)掺杂MgZnO合金薄膜。研究了Mg含量对MgZnO的电子结构。 N掺杂浓度和N受主能级的影响规律和机制。发现随Mg含量的增
利用金属有机化学气相沉积技术在蓝宝石衬底上,通过低温生长实现了立方结构、吸收边在255nm的Mg0.52Zn0.48O合金薄膜,并采用传统湿法刻蚀的方法在薄膜上制备了梳状叉指金电极
采用磁控溅射法、通过ZnO陶瓷靶和Mg金属靶在石英衬底上制备了MgxZn1-xO薄膜。研究了Mg原子含量对MgxZn1-xO薄膜结构和光学性能的影响。XRD测试结果表明：MgxZn1-xO薄膜在(0002
以MOCVD系统生长Zn1-xMgxO合金,通过改变Mg、Zn气相比调制得到了不同组分含量的Zn1-xMgxO合金,其中Mg的固态含量从0变化到0.49,其对应的禁带宽度从3.31eV覆盖到5.02eV。以所
通过脉冲激光沉积技术在p型GaAs衬底上制备了ZnO同质结发光二极管。非掺杂的ZnO作为器件的n型层,p型ZnO层通过衬底中的As向ZnO中扩散与退火形成。Ⅰ-Ⅴ曲线显示出较好的整流
胡适十三四岁跟江冬秀定亲,直到27岁做了北大教授后听从母亲的安排回家乡完婚,这才见到自己的另一半。很多人为他不值,因为江冬秀识字很少,写信都不能准确地表达自己的意思。
利用等离子体协助分子束外延方法在p-GaN衬底上生长n-ZnO薄膜,制备出n-ZnO/p-GaN异质结,在室温下的电致发光光谱上观测到位于430nm的宽且强的发射带,被归结为来自GaN与Mg受主
介绍几种ZnO和ZnMgO薄膜的p型掺杂方法和所制备的ZnO基p-n结,实现了其电注入发光。并对这些ZnO基p-n结的电注入发光特性进行了研究。
通常我们把补钙等同于补骨的全部，其实这是一个严重的认识上的误区。据营养学家最新研究结论，补骨是一项非常复杂的人体系统工程，作为骨骼地重要组成物质的钙，必须在多种营养物质