【摘 要】
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采用分子电镀法, 以异丙醇体系为电镀介质,采用改进的电镀槽垫片,在带有靶框的2～8 μmAl 箔衬底上直接电沉积Th-232.实现了镀液不泄露、装卸μm 级别的Al 箔不破裂的要求.通过
【机 构】
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中国原子能科学研究院放射化学研究所,北京 102413
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采用分子电镀法, 以异丙醇体系为电镀介质,采用改进的电镀槽垫片,在带有靶框的2～8 μmAl 箔衬底上直接电沉积Th-232.实现了镀液不泄露、装卸μm 级别的Al 箔不破裂的要求.通过研究体系酸度,得到分子镀Th 的最佳沉积条件, 最终制备出靶面平整、牢固的Th-232 靶.通过沉积率分析得到Th 靶的质量密度为100～200 μg/cm2,通过α能谱分析表明所制Th 靶有较高的能量分辨率,满足了232Th(α,2n)234U 反应截面测量需求.
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