【摘 要】
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针对传统LIGBT存在导通电压较高,导通电阻较大等问题,本文提出了一种新型的载流子储存槽栅横向IGBT(Carrier-Storage Trench-gate Lateral IGBT,CS-TLIGBT)结构.新器件采用槽
【机 构】
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北京大学深圳研究生院信息工程学院集成微系统科学工程与应用重点实验室,广东 深圳 518055
【出 处】
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第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议
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针对传统LIGBT存在导通电压较高,导通电阻较大等问题,本文提出了一种新型的载流子储存槽栅横向IGBT(Carrier-Storage Trench-gate Lateral IGBT,CS-TLIGBT)结构.新器件采用槽栅和载流子存储层相结合的结构,通过载流子储存层参数的优化,在不牺牲击穿良好特性的情况下,可以减小开态导通压降和降低开态损耗.
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