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@@有机发光二极管(OLED)具有低压驱动、主动发光、高亮度、视角广、可实现柔性显示等优点，它在平板显示领域展现出广阔的应用前景。目前，采用真空蒸镀方法制备的OLED具有优秀的性能并且技术较为成熟，但是真空蒸镀法成本高，难以实现大尺寸。
溶液法制备聚集诱导发光有机薄膜的物理特性研究
【摘 要】
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@@有机发光二极管(OLED)具有低压驱动、主动发光、高亮度、视角广、可实现柔性显示等优点，它在平板显示领域展现出广阔的应用前景。目前，采用真空蒸镀方法制备的OLED具有优秀的性能并且技术较为成熟，但是真空蒸镀法成本高，难以实现大尺寸。
【机 构】
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中山大学广东省显示材料与技术重点实验室,物理科学与技术学院 广州 510275 中山大学化学与化学
【出 处】
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第十二届全国固体薄膜会议
【发表日期】
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2010年7期
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RF射频溅射法制备BN薄膜，使用离子注入法将S注入BN薄膜中进行掺杂，测量了掺杂前后BN薄膜的表面电阻率，并计算掺杂后BN薄膜的激活能。离子注入能量为190KeV,注入剂量在1015ions／cm2-1016ions／cm2之间，薄膜在离子注入后经400℃-800℃退火，并在薄膜表面蒸镀2mm×5mm的铝电极，以测量其电学特性。实验结果表明：离子注入掺杂后的BN薄膜表面电阻率随着S离子注入剂量的增
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根据现行氮化镓金属有机物化学气相沉积的生长动力学理论，结合商用垂直喷淋式反应器，运用计算流体力学方法，耦合化学反应动力学和输运过程，对GaN MOCVD生长过程进行全面的仿真。计算得到了相关场、反应产物以及生长速率、寄生沉积速率的分布。在典型的生长工艺下，衬底上GaN生长速率适中而均匀，上壁的寄生沉积速率不足前者的1/10。此外，文中还证明了MMGa为GaN生长的主要来源，而TMGa：NH3则为寄
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在常温下，采用反应磁控溅射法在K9双面抛光玻璃基底上制备氧化钛薄膜，采用XRD，光栅光谱仪、椭偏仪对样品进行测试，拟合分析得到薄膜的折射率和厚度等光学参数。结果表明氧化钛纳米薄膜呈非晶态，在可见光波段吸收小、是透明的，是用来构成一维光子晶体的理想组份，对其光学性能的基础研究为以后光子晶体的结构设计具有积极的意义。
硅同质外延在纯硅器件制备以及硅基异质结构材料生长中都有重要应用。发现生长温度对Si外延膜的表面形貌影响很大，因此深入理解其生长机理和表面形成的过程有重要意义。利用超高真空化学气相淀积方法，采用高纯Si2H6为气源，在Si(100)衬底上同质外延生长Si薄膜，生长温度分别为650℃、700℃、730℃、750℃、800℃。通过原子力显微镜观测这些外延薄膜的表面形貌，发现生长温度为650℃时，外延生长
基于流体动力学原理对自行研制的垂直式HVPE系统制备GaN的表面沉积率进行了三维数值模拟。研究表明反应物的出气方式是GaN沉积率均匀性差的根本原因，并对反应室的出气口结构进行了改进。结果表明，在衬底上方合适的位置增加多路对称的Ga源管道可以使GaCl在衬底上方的分布比较均匀，改变了GaN沉积率中间过高而边缘过低的现象，提高了GaN表面沉积率大小的均匀性，为进一步优化反应室结构提供了依据。
在氢氟酸浸没1分钟后，对(001)硅纳米薄膜进行去离了水1分钟漂洗和不漂洗两种处理，在室温干燥空气中运用van der Pauw方法对其进行面阻测量，结果发现：与表面有自然氧化层的样品相比，氢氟酸表面处理后能使电导率有几个数量级的提高，漂洗后的样品比没漂洗的样品电导率稍底，这是由于在漂洗过程中样品表面已开始氧化。随着表面逐渐氧化，电导率逐渐复原，两种样品的电导率也达到一致。这些结果与X光电子图谱(
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