【摘 要】
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采用修正截断半径的第二代Brenner势，利用分子动力学方法，系统研究了非晶四面体碳(ta-C)薄膜沉积过程中热钉微区温度、应力与结构之间的关系。通过跟踪沉积碳离子平衡位置，
【机 构】
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西安交通大学电子物理与器件教育部重点实验室 710049
【出 处】
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2012全国荷电粒子源、粒子束学术会议
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采用修正截断半径的第二代Brenner势，利用分子动力学方法，系统研究了非晶四面体碳(ta-C)薄膜沉积过程中热钉微区温度、应力与结构之间的关系。通过跟踪沉积碳离子平衡位置，显示薄膜生长因碳离子能量的高低呈现表面生长和亚表层生长模式。计算了薄膜生长过程中的应力分布，表面薄膜中存在横向的应力分布，其强度略低于纵向应力。热钉微区温度和应力与结构的变化存在时间关联，三者具有耦合关系，表明除了人们通常关注的碳离子能量和衬底温度两个工艺参数外，沉积微区温度及应力也对薄膜结构具有重要影响。
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