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该会议文集共收录论文１７６篇，主要包括：半导体材料的新发展，半导体量子光电子学的发展，半导体我子集成器；ＨＥＭＴ结构的霍尔迁移率分布；在Ｓｉ上外延掺稀土的ＣａＡｓ及其发光；注硅半绝缘砷化镓中的少子和多子陷阱；低含铬半绝缘ＨＢ－ＣａＡｓ单晶；热历史对半绝缘砷化镓单晶的深能级缺陷的影响；改进的ＣＺ法生长ＣａＳｂ晶体等。（赵庚新 摘）