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以Ar+SiH4作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法在300℃下制备了微晶硅薄膜，研究了Ar流量对薄膜沉积速率、择优取向、结晶度和薄膜中H含量的影响。实验结果表明，随着Ar流量的增大，薄膜沉积速率先增大，后减小，Ar流量为70sccm时沉积速率最大，且在该流量下，薄膜中的H含量达到最低，结晶度亦接近65%。在各Ar流量下，薄膜的择优取向均以晶向为主。