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本文采用多孔空心阴极等离子体增强化学气相沉积(HC—PECVD)技术，以二氯硅烷(SiH.Cl.)和氢气(H：)分别作为硅源和还原剂制备微晶......
以Ar+SiH4作为反应气体，采用电子回旋共振等离子体增强化学气相沉积方法在300℃下制备了微晶硅薄膜，研究了Ar流量对薄膜沉积速率......
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简单介绍了PVD溅射系统和溅射原理．实验分析了PVD溅射技术在微晶玻璃基片溅射沉积Cu膜时，沉积速率随相关工艺参数变化而变化的几点规......
