基于封装集成的高功率密度SiC单相逆变器的热分析及优化设计

来源 :第九届中国高校电力电子与电力传动学术年会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:king0083
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  本文针对一种新型的基于封装集成的高功率密度SiC 单相逆变器进行热分析及优化设计.利用基于CFD 的三维热分析软件Flotherm,采用强迫风冷设计,通过对SiC 半桥封装模块的装配结构、散热器的材料和翅片数量以及整机风扇热流动的优化设计,使得磁芯温度低于90℃,SiC 芯片温度低于80℃,壳温低于50℃,具有良好的散热效果,整机的功率密度达到50W/in3.
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