【摘 要】
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大规模集成电路研究和发展的关键之一就是光刻技术的开发与应用,而光刻材料是光刻技术研发中的核心之一.本文以深紫外光(deep UV)为光刻光源,以Langmuir-Blodgett (LB)膜成膜技术为基础,设计、合成了一系列新型含有烯丙基丙二酸二叔丁酯光致抗蚀剂材料,聚(N-十六烷基甲基丙烯酰胺-烯丙基丙二酸二叔丁酯)p (N-HDMA-co-AMDBP)s,详细探讨了其成膜性能和光刻性质.研究结
【机 构】
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郑州大学化学系,河南省化学生物与有机化学重点实验室,河南省高校应用化学开放实验室,郑州市高级纳米信息材料重点实验室,河南郑州450052
【出 处】
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中国工程院化工、冶金与材料工学部第七届学术会议
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大规模集成电路研究和发展的关键之一就是光刻技术的开发与应用,而光刻材料是光刻技术研发中的核心之一.本文以深紫外光(deep UV)为光刻光源,以Langmuir-Blodgett (LB)膜成膜技术为基础,设计、合成了一系列新型含有烯丙基丙二酸二叔丁酯光致抗蚀剂材料,聚(N-十六烷基甲基丙烯酰胺-烯丙基丙二酸二叔丁酯)p (N-HDMA-co-AMDBP)s,详细探讨了其成膜性能和光刻性质.研究结果表明:上述共聚物分子均可在气液界面有序排列,且能够均匀的转移至石英,硅,亲水玻璃,镀金玻璃等基片上,形成多层LB膜；通过光刻工艺均得到高分辨率的光刻模型和金属刻蚀模型；并初步探讨了这些功能高聚物的光分解机理.
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