原位电场下Zn掺杂Ge2Sb2Te5薄膜结构转变的研究

来源 :2015年全国电子显微学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:shanon0577
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21世纪是信息大爆炸的时代,对信息存储的要求越来越多样化.在微电子技术发展中,相变存储器以其独特的优越性受到了越来越多的关注,将逐渐替代闪存器件或成为下一代非挥发性存储技术[1].相变材料可以在非晶态和晶态之间可逆转变,随之带来电阻变化,以实现数据"0"和"1"的记录.相变材料主要以硫系化合物为基础,Ge-Sb-Te合金占据主导位置.虽然相变存储器发展与利用逐步进入成熟化[2],但是仍面临着的许多问题,包括器件热稳定性低以及如何降低操作电流和功耗等.
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本文通过对荣华二采区10
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