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ZnO基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基础上，采用几种掺杂方法制备出p型ZnO和ZnMgO薄膜，进而制备出了ZnO和ZnMgO的异质、同质p-n结，并在室温下实现了其电注入发光。
MOCVD生长ZnO基p-n结的电注入发光研究
【摘 要】
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ZnO基p-n结的电注入发光研究是目前国际研究的热点。本文用MOCVD技术制备了高质量ZnO和ZnMgO薄膜，并在此基础上，采用几种掺杂方法制备出p型ZnO和ZnMgO薄膜，进而制备出了ZnO和ZnM
【机 构】
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吉林大学集成光电子国家重点实验室,电子科学与工程学院,长春,130012 大连理工大学三束材料改性教育部重点实验室,物理与光电工程学院,大连,116023
【出 处】
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第十一届全国MOCVD学术会议
【发表日期】
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2010年期
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