电子束蒸发制备ZnO:Al膜及 Si:H/ZnO:Al接触特性

来源 :第九届中国太阳能光伏会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:gegengwang
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本实验选用纯度为99.7﹪的氧化锌粉末掺入不同质量比(分别为2,2.5,3﹪)的纯度为99.99﹪的氧化铝粉末,充分研磨使其混合均匀,然后在10MPa的压力下压制30s成靶,利用电子束蒸发方法在玻璃衬底上制备了ZnO:Al透明导电膜,利用扫描电子显微镜观察其表面形貌,利用分光光度计分析其光学性质,利用四探针对其进行电学性质的测量.结果表明所得样品在可见光范围具有较好的透光性,在衬底温度为200℃时样品的电阻率可达6×10-3Ωcm.进一步研究了不同掺杂量ZnO:Al膜与n型Si:H膜的接触特性.
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