【摘 要】
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采用脉冲激光沉积技术,在MgO(100)衬底上制备了b轴方向择优生长的BaTi2O5薄膜,重点研究了其介电性能.结果表明,在衬底温度973K、氧分压12.5Pa条件下成功获得了高b轴择优取向
【机 构】
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武汉理工大学材料复合新技术国家重点实验室,武汉 430070
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采用脉冲激光沉积技术,在MgO(100)衬底上制备了b轴方向择优生长的BaTi2O5薄膜,重点研究了其介电性能.结果表明,在衬底温度973K、氧分压12.5Pa条件下成功获得了高b轴择优取向、表面平整、结晶良好的BaTi2O5薄膜.该薄膜具有较高的居里温度(750K),100kHz频率下介电常数达2000,而且随温度的升高,其导电性提高,活化能约为1.25eV.
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