论文部分内容阅读
以CMOS器件为基本单元的集成电路已成为当今世界LSI、VLSI、ULSI中应用最为广泛的一种电路结构,而现阶段CMOS电路系统中的闩锁效应在影响器件可靠性的同时也在很大程度上阻碍了电路系统性能及集成度的提高,所以电路防闩锁研究意义重大。本文以N阱CMOS反相器的研究为出发点,探讨CMOS集成电路的工艺结构,并且在此基础上运用可控硅等效电路模型分析闩锁效应的形成机理。从电路开关控制、电路内部PN节结构以及外部辐照效应三个方面分析闩锁效应被触发的原因。从版图级抗闩锁,工艺技术级抗闩锁,电路应用级抗闩锁三方面对闩锁效应的防护进行分析论证。