当今社会,人类或多或少地要暴露在电磁辐射下。然而,对于电磁辐射如何干扰神经系统的研究还非常匮乏。本文利用忆阻器,通过引入电磁辐射项对FitzHugh–Nagumo(FHN)模型进行改进,以研究电磁辐射下神经元的电活动。对于改进的FHN模型,我们研究了该系统的Hopf分岔行为,并通过观察分岔点附近的滞后环以确定这个分岔实为次临界Hopf分岔。由于在在分岔点前出现了神经元电活动的静息态和阈上振荡态同时共存的双稳区域,我们进而引入噪声揭示了该模型在Hopf分岔点附近的随机共振特征。借助于神经元膜电位在静息态和大振幅振荡状态之间的随机转迁和周期信号之间的协同作用,我们的研究发现电磁扰动中的弱周期信号会被随机干扰放大。通过定义膜电位的簇放电间期,我们的结果给出了一种次临界Hopf分岔下对弱信号进行检测的较为可行的方案。最后,本文从能量的角度对随机共振现象的发生机理给出了解释,并分析了周期信号的振幅、频率和偏置参数对随机共振行为的影响。这些研究和观察对理解电磁场影响下的神经元电活动有借鉴意义。