【摘 要】
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在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体中掺人少量铋(Bi)原子形成的稀铋材料具有很多新奇的物理特性,如禁带宽度变窄、自旋轨道分裂能级增大[1,2],因此,能够拓展发光波长,有效抑制俄歇复合
【机 构】
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中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室
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在Ⅲ-Ⅴ化合物半导体中掺人少量铋(Bi)原子形成的稀铋材料具有很多新奇的物理特性,如禁带宽度变窄、自旋轨道分裂能级增大[1,2],因此,能够拓展发光波长,有效抑制俄歇复合效应,提高光电器件的温度稳定性,近年来受到国际上的广泛关注.InAlP半导体材料可作为黄绿光波段(560 nm-580 nm)的有源区材料,在发光二极管(LED)、显示器以及多节太阳能电池等器件方面具有潜在的应用价值[3].将少量的Bi原子凝人InAlP材料中,有望拓展发光波长,并且可以将应变在张应变和压应变之间随意调控.
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