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该文研究了Ｃｅ掺杂（Ｂａ〈，０．７〉Ｐｂ〈，０．３〉）ＴｉＯ〈，３〉ＰＴＣＲ陶瓷的电学性能及显微结构；探讨了Ｃｅ掺杂ＢａＴｉＯ〈，３〉为ｎ型半导体；不同浓度Ｃｅ掺杂时，Ｃｅ进入不同ＢａＴｉＯ〈，３〉晶格位置：当掺杂量ｘ＜０．００３ａｔ℅时，Ｃｅ主要是进入Ｂ位；当掺杂量ｘ＞０。１ａｔ℅时，Ｃｅ进入Ａ位比例明显增加；当掺杂量０．００３＜ｘ＜０．１ａｔ℅时，Ｃｅ同时进入Ａ、Ｂ位；随着掺杂量的增加，轴比ｃ／ａ趋于１，晶格结构由四方相渐变为立方相；Ｃｅ含量与室温电阻率呈Ｕ型关系。不同方式引入的Ｃｅ，对ＢａＴｉＯ〈，３〉的性能有较大的影响。