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本文利用固相法和共沉淀法合成CaCu3Ti4O12压敏陶瓷,基于双Schottky势垒的电子输运过程。利用介电谱研究分析结果,研究其介电损耗的来源及其影响因素。研究发现,CCTO的介电响应,在低频下以跳跃电导和直流电导的响应为主,而高频下主要为深陷阱能级的松弛过程所致,特别是活化能为0.12eV的深陷阱浓度,是决定CaCu3Ti4O12陶瓷高频区介电损耗的重要因素。降低直流电导,有利于降低低频区介电损耗;而高频区介电损耗的降低,需要降低深陷阱浓度或增大晶粒尺寸。共沉淀法制备的CaCu3Ti4O12陶瓷,有效降低直流电导及控制深陷阱浓度,介电损耗降低明显。