论文部分内容阅读
本文在实验和计算机模拟计算的基础上，讨论了四价添加剂对ZnO压敏电阻器性能的影响和作用机理。研究表明，优选的四价元素的掺杂能有效的降低ZnO晶粒的电阻率。降低了残压比；通过提高晶界氧离子的电离度，使晶界势垒高度上升，提高了ZnO的压敏电压梯度。并利用扫描电子显微镜、电子探针对结果进行了分析。