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电子自旋为半导体电子器件提供了一个新的操控自由度，期待与电荷自由度组合，发展新一代低功耗、高集成度的纳米电子器件-自旋电子器件。然而，半导体自旋电子器件的成功依赖于电子自旋极化、注入、输运、检测和控制等基本问题的成功解决。这些问题已成为目前国际上的前沿研究热点。本文对其中自旋输运基本问题进行了研究，发展了一种新的时间分辨透射光栅调制的泵浦-探测光谱技术及其理论，并应用于(110)GaAs量子阱中电子自旋双极输运动力学研究，首次获得了电子自旋双极扩散系数的电子浓度依赖结果。