30°双晶结临界电流密度的实验研究

来源 :第六届全国超导电子器件学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xiaozhu222
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高温超导体的晶粒边界对载流能力的影响、晶界约瑟夫森结性能的控制和利用等方面是值得我们深入研究的有趣问题.早期,对晶粒边界输运性质研究得出的最重要结论是,通过晶界的临界电流与晶界错角存在很强的依赖关系.例如双晶YBCO薄膜的测量结果明确显示,随错角θ由0°增加到45°,J<,c>呈指数地降低.但实验发现,对于制备在具有给定错角θ的双晶衬底上的高T<,c>薄膜,增加薄膜厚度可以大幅度地改善通过晶界的临界电流,本文报告了这方面的初步结果并给出了简单讨论.
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