基于IGZO的AMOLED像素电路TFT仿真

来源 :2014中国平板显示学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户：yhmlivefor52

【摘要】

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铟镓锌氧化物(IGZO)是一种优良的可用于制作薄膜晶体管(TFT)的氧化物半导体材料,可用于制作大屏幕OLED的像素驱动电路.本论文利用SILVACO公司的仿真工具ATLAS,建立了IGZO TFT

【作者】

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梁志虎屠震涛乔敏李纯怀温亦谦彭威臣朱立伟

【机构】

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电子物理与器件教育部重点实验室,西安交通大学,西安,中国,710049

【出处】

：

2014中国平板显示学术会议

【发表日期】

：

2014年期

【关键词】

：

像素电路 TFT 氧化物半导体材料性能像素驱动电路物理仿真模型绝缘层厚度薄膜晶体管

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铟镓锌氧化物(IGZO)是一种优良的可用于制作薄膜晶体管(TFT)的氧化物半导体材料,可用于制作大屏幕OLED的像素驱动电路.本论文利用SILVACO公司的仿真工具ATLAS,建立了IGZO TFT的器件物理仿真模型并对TFT性能进行了仿真研究.仿真结果,发现绝缘层厚度和绝缘层材料对TFT性能如阈值电压,迁移率等特性参数的影响较大,并揭示了其变化规律.并根据2T1C像素电路结构对TFT性能的不同要求对TFT进行了优化设计.

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