单MESA结构的4H-SiC PiN二级管制造

来源 :第十八届全国半导体集成电路、硅材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:ymlazy63
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利用改进的刻蚀工艺实现了无微沟槽、侧壁近似垂直的刻蚀台面形貌,并在此基础上制造了单MESA结构的4H-SiC PiN二级管.器件外延的漂移层厚度为15μm.直流测试结果显示,器件的开态串联电阻很小,开启前的电流输运主要来自于复合电流.反向最大阻断电压1565V.大尺寸器件(MESA管芯面积2.5mm2)的可实现最大品质因数2224 MW/cm2,达到了目前国内报道的SiC PiN二级管特性的最好结果.
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