【摘 要】
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本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT(静电感应晶体管).该器件研制中,采用了介质辅助剥离、高能离子注入及高温退火、密集栅凹槽、介质钝化等工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升.正向特性测试:在栅压+3.5V,漏压10V时,0.5mm栅宽的SIT的电流密度达到130mA/mm,Gm=24mS/mm.反向特性测试:Vg=-
【机 构】
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单片集成电路和模块国家级重点实验室,南京,210016;南京电子器件研究所,南京,210016 南
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本文通过采用导通4H-SiC衬底上的同质多层外延材料,成功制作出L波段SiC SIT(静电感应晶体管).该器件研制中,采用了介质辅助剥离、高能离子注入及高温退火、密集栅凹槽、介质钝化等工艺,有效抑制了漏电并提高了器件击穿电压,器件功率输出能力由此得到提升.正向特性测试:在栅压+3.5V,漏压10V时,0.5mm栅宽的SIT的电流密度达到130mA/mm,Gm=24mS/mm.反向特性测试:Vg=-12V时,BVds=202V,电压增益BV gain=22;Vg=-16V:BVds=320V,最大达到440V.最终4cm栅宽SiC SIT器件,在L波段的1GHz、80V工作电压下,脉冲宽度100μs,占空比1％时,输出功率达到了66W,功率密度16.5W/cm,此时功率增益为6.2dB.脉冲宽度100μs,占空比10％时,输出功率最大达到56.89W,同时功率增益为5.55dB,效率为35.55％.
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