【摘 要】
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晶体薄膜生长的多道工艺是将一个厚膜的制备过程分成几个较薄的膜的制备过程.多道工艺方法被证明是制备高临界电流REBCO超导长带的实用技术.然而，由于多元化合物MOCVD过程中容易产生多种杂相，多道MOCVD比某些物理沉积方法的多次沉积过程复杂且难以控制.MOCVD快速生长的REBa2Cu3O7-d膜表面很容易生成Ba-Cu-O杂相.最坏的情况下，液相增强生长的残留杂相完全覆盖膜的表面，使得在其上无法
【机 构】
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东北大学,沈阳110819 苏州新材料研究所,苏州215125
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晶体薄膜生长的多道工艺是将一个厚膜的制备过程分成几个较薄的膜的制备过程.多道工艺方法被证明是制备高临界电流REBCO超导长带的实用技术.然而，由于多元化合物MOCVD过程中容易产生多种杂相，多道MOCVD比某些物理沉积方法的多次沉积过程复杂且难以控制.MOCVD快速生长的REBa2Cu3O7-d膜表面很容易生成Ba-Cu-O杂相.最坏的情况下，液相增强生长的残留杂相完全覆盖膜的表面，使得在其上无法进行再次外延生长.所以，多道MOCVD中必须优化条件以限制杂相.本文研究多道MOCVD中化学源RE∶Ba∶Cu比例、衬底温度、喷淋头温度、氧分压等对REBCO超导带材的微结构和临界电流的影响.
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