UHV/CVD生长高质量亚微米薄硅外延层

来源 :第十三届全国半导体集成电路、硅材料学术会 | 被引量 : 0次 | 上传用户:smartdudu
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本文介绍了一台在原有第一代超高真空化学气相沉积系统基础上自行研制的第二代新型的UHV/CVD,反应室本底真空可达5.0×10<-8>Pa,它由气路部分、控制部分、主体部分组成,能够进行3英寸或4英寸硅片外延生长.利用该系统在重掺硅衬底上成功生长出了高质量的亚微米薄硅单晶层,外延层厚度0.1~0.5μm,掺杂浓度为1×10<17>cm<3>.
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