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自非致冷红外焦平面阵列(UFPA)发展以来,其器件制备技术日趋成熟,探测材料不断更新,以Si、Ti、VOx等热敏电阻材料和(Ba、Sr)TiO<,3>等热释电材料制作的阵列,前景尤为看好.本文主要从探测材料的研究角度评述UFPA的发展动向.
非致冷红外焦平面阵列的发展动向
【摘 要】
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自非致冷红外焦平面阵列(UFPA)发展以来,其器件制备技术日趋成熟,探测材料不断更新,以Si、Ti、VOx等热敏电阻材料和(Ba、Sr)TiO等热释电材料制作的阵列,前景尤为看好.本文主
【机 构】
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华中理工大学电子科学与技术系(武汉)
【出 处】
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全国光电技术学术交流会
【发表日期】
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2000年11期
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