基于5-芳基-2-巯基噁二唑辅助配体的双核环金属铂配合物深红-近红外电致发光材料的研究

来源 :第十四届全国发光学学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:mnbvcxzxzh
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
  有机发光二极管(简称OLED),具有自发光、高亮度、高效率、轻薄、宽视角和易加工等特性,被业内人士称为“梦幻般的显示器”,在信息显示和固体照明等领域具有广阔的应用前景。随着材料与器件研究的不断深入,OLED 显示面板已经实现在诸如手机、MP3、数码相机等小尺寸电子设备的实用化。
其他文献
会议
采用磁控溅射法制备了大面积均匀的MoS2 薄膜,实验结果显示所制备的MoS2 具有较好的结晶性,吸收光谱也在620 nm、673 nm 以及350~450 nm 波段显示出特征吸收峰,拉曼成像结果显示MoS2 薄膜具有很好的区域均匀性。
通过高温固相反应,在不同温度下制备了Yb,Er 共掺杂Sr0.5Ba0.5YF5(即Sr0.5Ba0.5Y0.88F5:10%Yb,2%Er)上转换荧光粉,借助X 射线衍射(X-ray Diffraction)、扫描电镜(Scanning Electron Microscopy)和荧光光谱(Photoluminescence)对所得样品的晶相结构、形貌和发光性能进行了表征,结果表明:烧结反应温度对
会议
会议
ZnO 是一种宽禁带(3.37 eV)半导体材料,室温下具有高达60 meV 的激子束缚能,以及良好的光学增益,这些优势使得ZnO 成为构建低阈值高效率紫外发光器件的理想材料.目前,高质量稳定的p 型ZnO 仍然较难获得,构筑ZnO 基异质结器件成为研究的热点.
半导体ZnO 具有优越的材料特性(宽禁带:3.37 eV,高激子束缚能:60 meV)和良好的光学及电学性质,是发展短波长、低阈值发光/激光二极管(LEDs/LDs)的理想候选材料之一.目前,获得高质量稳定可重复的p 型ZnO 仍然存在很大的困难,制约了其同质结器件的发展.近年来,研究人员将目光投向了构建ZnO 基异质结器件.
会议
我们利用空穴传输材料m-MTDATA、电子传输材料3TPYMB 以及銥的配合物Ir(piq)3通过旋转涂覆法制备了基于绿光激基复合物的主客掺杂型红色磷光电致发光器件,研究了激基复合物三线态能级以及掺杂浓度对器件性能的影响。
会议