金属含量对Co/C颗粒薄膜的电输运及磁电阻的影响

来源 :中国物理学会2012年秋季学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:xtcwang
下载到本地 , 更方便阅读
声明 : 本文档内容版权归属内容提供方 , 如果您对本文有版权争议 , 可与客服联系进行内容授权或下架
论文部分内容阅读
碳基材料作为非均匀颗粒薄膜体系的母体具有以下优势:较长的自旋扩散长度、可调控的电学性质和独特的铁磁/碳界面特性,因此碳基磁性颗粒薄膜的电输运及磁电阻研究很有意义.我们用对向靶磁控溅射方法制备了金属含量为10-21%的Co/C颗粒薄膜,薄膜厚度为~100 nm.
其他文献
ZnO拥有宽的直接带隙和高的激子束缚能,在短波长发光器件方面具有广阔的应用前景.但ZnO材料本身缺陷、p型掺杂困难使得空穴浓度不高以及高折射率和自吸收等特点,使得ZnO基发光器件面临发光效率不高的问题,阻碍了ZnO基发光二极管(LEDs)和激光器的实用化发展,提高ZnO基发光器件的紫外发光效率是实现其实际应用的重要一步.
Ⅲ-Nitride semiconductor is a fantastic family system,composed of binary (AlN,GaN,InN),Ternary (InAlN,AlGaN and InGaN) and quaternary (InAlGaN) materials.Due to their excellent physical properties,the
ZnS作为宽禁带半导体材料,由于有较大的激子束缚能(38meV),已在激光器、传感器、背光源等有广泛应用.ZnS纳米线、纳米带,薄膜等表现出与块体材料不同的特征,已引起了广泛的关注.
基于CoFeB-MgO的磁性隧道结由于具有极高的TMR比值(室温604%[1])而被人们广泛研究.为了有效提高V1/2(TMR比值下降到最大值的一半时外界所施加的电压),双势垒磁性隧道结成为研究热点,因为双势垒可以简单地被认为是两个单势垒的串联,而串联可以分压.
在半导体衬底生长铁磁性薄膜并研究其磁性,一直以来是自旋电子学的研究热点之一.如在Si(111)表面外延生长Fe薄膜因其磁各向异性引起人们的极大关注.在Fe/Si(111)超薄膜中,表面磁各向异性和退磁场的竞争,决定铁磁薄膜的垂直各向异性;而面内磁各向异性,主要由台阶诱导的单轴各向异性和磁晶各向异性来决定.
多铁(Multiferroics)材料近年来引起了广泛的关注——"Areas to Watch",Science 318,1848 (2007).这类材料同时具有两种或两种以上的铁序(铁电序、铁磁/反铁磁序和铁弹序),并且不同铁序之间具有耦合效应,从而产生一些新的物理现象,相关研究丰富了人们对不同铁序的起源和相互作用的认识[1].
近年来,基于磁热效应发展起来的室温磁制冷技术受到了人们的广泛关注.高Mn含量的Ni-Mn基Heusler合金因其在马氏体相变处磁性和结构发生突变而产生巨磁热效应,使其成为室温磁制冷工质的有力竞争者之一,实现马氏体相变温度(TM)的人工调控具有重要意义[1].
Understanding and control the magnetic domain wall (DW) propagation in ferromagnetic nanowires has become of utmost importance in future spintronic applications.In patterned ferromagnetic nanowires,pi
各向异性磁电阻(Anisotropic Magnetoresistance,AMR)在磁电阻随机存储器、磁记录和磁性传感器等方面具有重要的应用价值.在传统理论中,AMR可表示为,其中和分别为电流和磁化强度平行和垂直时的电阻率[1].