【摘 要】
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该文研究了以三甲基镓(TMGa)和氨(NH)为气源物质、以氢气(H)为载气进行GaN半导体MOVPE外延生长时，NH分解率对于GaN半导体外延生长的成分空间的影响。热力学计算结果表明：随着NH
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该文研究了以三甲基镓(TMGa)和氨(NH<,3>)为气源物质、以氢气(H<,2>)为载气进行GaN半导体MOVPE外延生长时，NH<,3>分解率对于GaN半导体外延生长的成分空间的影响。热力学计算结果表明：随着NH<,3>分解率的提高，用于生长GaN外延层的气-固两相区逐渐变小，解释了实际生长过程中V/III比要求很高的原因。低NH<,3>分解率有助于GaN的金属有相物气相外延生长。
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