论文部分内容阅读
用动态内耗方法研究高温蠕变中位错组态的变化
【机 构】
：
中国科学院固体物理研究所
【出 处】
：
’94秋季中国材料研讨会
【发表日期】
：
1994年期
其他文献
该文介绍了批量生产Ｌｉ〈，２〉Ｂ〈，４〉Ｏ〈，７〉单晶过程中，常出现的几种宏观缺陷：云层、串芯、孪晶。该文作者认为固液界面温度骤降将导致云层的产生，凹型界面容易产生串芯，生长过程中出现的裂
利用吸收光谱的方法研究了氮气气氛下生长的含氮Ｓｉ单晶中浅施主的温度行为。变温测量过程中，除观察到磷和五类与Ｎ、Ｏ相关的复合型浅施主中心Ｄ（Ｎ－Ｏ）ｓ谱线系外，还首次观察到来源于Ｎ－Ｏ复合型浅施