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薄片Si-GaAs单晶中碳含量的显微红外光谱测量方法研究
【机 构】
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机械电子部第46研究所
【出 处】
:
中国有色金属学会1993年砷化镓及有关化合物会议
【发表日期】
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1993年期
其他文献
该文介绍了批量生产Li〈,2〉B〈,4〉O〈,7〉单晶过程中,常出现的几种宏观缺陷:云层、串芯、孪晶。该文作者认为固液界面温度骤降将导致云层的产生,凹型界面容易产生串芯,生长过程中出现的裂