【摘 要】
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有机薄膜晶体管在未来柔性、低成本、大面积电子器件方面有很好的应用前景.但是,实验中发现,有机薄膜晶体管源漏电极与沟道之间存在着较大接触电阻,是影响有机薄膜晶体管性能
【机 构】
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中国科学院,微电子研究所,北京100029
【出 处】
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2013年全国博士生学术论坛——电子薄膜与集成器件
论文部分内容阅读
有机薄膜晶体管在未来柔性、低成本、大面积电子器件方面有很好的应用前景.但是,实验中发现,有机薄膜晶体管源漏电极与沟道之间存在着较大接触电阻,是影响有机薄膜晶体管性能的主要因素之一.本文运用传输线模型,来研究底栅顶接触和底栅底接触两种结构的有机薄膜晶体管的接触电阻.根据这一模型,对比了底栅顶接触和底栅底接触结构接触电阻的大小,与实验事实相符合,解释了顶接触结构的接触电阻相对较小的原因.对于底栅底接触结构的传输线模型,将其与实验数据进行了对比,发现它可以很好的拟合实验数据,证实了模型的正确性.随后,研究了栅压和源漏电极的厚度、宽度及接触角度对底接触结构接触电阻的影响.这些结果可以用来优化有机薄膜晶体管的结构,从而获得更低接触电阻、更高性能的有机薄膜晶体管.
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