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原子级厚度的六方氮化硼(h-BN)由于表面没有悬挂键被证明是优异的介电材料以及理想的范德瓦尔斯(van der Waals)外延衬底，可以用来制备高质量的二维材料和它们的垂直异质结构。
CVD法制备大面积清洁六方氮化硼h-BN单层薄膜
【摘 要】
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原子级厚度的六方氮化硼(h-BN)由于表面没有悬挂键被证明是优异的介电材料以及理想的范德瓦尔斯(van der Waals)外延衬底，可以用来制备高质量的二维材料和它们的垂直异质
【机 构】
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国家纳米科学中心
【出 处】
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第17届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
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2015年期
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