【摘 要】
：
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性，利用软件Sentaurus对埋氧层3μm.顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真，仿真结果达到了4.5 kV的抗静电能力，符合目前人体模型的标准2 kV。研究发现，注入剂量(9×1013～8×1014cm-2)增加会引起触发电压减小，维持电压升高：Trench长度(0.8～1.1μm)增加，器件触发电压几乎不变，维
【机 构】
：
中国科学院上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海200050
【出 处】
：
2011’全国半导体器件产业发展、创新产品和新技术研讨会
论文部分内容阅读
本文具体分析了体硅SCR(晶闸管)和SOI SCR的抗静电特性，利用软件Sentaurus对埋氧层3μm.顶层硅1.5μm的SOI衬底上的SCR进行了工艺和性能仿真，仿真结果达到了4.5 kV的抗静电能力，符合目前人体模型的标准2 kV。研究发现，注入剂量(9×1013～8×1014cm-2)增加会引起触发电压减小，维持电压升高：Trench长度(0.8～1.1μm)增加，器件触发电压几乎不变，维持电压降低；场氧化层长度(2～4.5μm )增加，触发电压和维持电压均增加。
其他文献
本文首次提出了常关型三维异质结围栅极型的异质结场效应晶体管(FinHFET).FinHFET通过肖特基金属接触的方式实现了围栅极型的异质结场效应晶体管.凹形栅极的肖特基金属改变了势垒层中的内建电势分布，耗尽了异质结沟道处的二维电子气(2DEG)，实现了器件的常关功能.研究结果表明：常关型AlGaN/GaN FinHFET器件与传统凹栅HFET工艺兼容，具有较好的电流驱动能力和反向阻断能力，为GaN
采用系统集成技术把硅基MEMS惯性器件的敏感结构和专用处理电路集成在一起，即可减小寄生信号干扰，又可抑制有用信号的衰减，是进一步提高硅基MEMS惯性器件的关键技术。本文对硅基惯性器件的集成技术进行了探索研究，并提出了硅基惯性器件集成技术方案，介绍了兼容MEMS技术和SOC技术的中间硅通孔技术，对中间硅通孔技术的设计、工艺加工、以及封装等技术进行了研究，并进行了可行性分析。
采用RF射频磁控溅射技术和ZnO-Li0.022陶瓷靶在Si (100)基片上制备了高度c轴择优取向的ZnO薄膜,XRD分析表明Li+离子掺杂改善了ZnO靶材的结构和性能,同时研究了不同RF溅射温度、氧分压对ZnO薄膜结构与择优取向的影响；通过对不同溅射工艺参数的进一步分析比较,确定了RF溅射最佳条件：基片温度Ts小于300℃,氩氧气氛体积比为Ar∶O2=20∶5,由此制得了高度c轴(002)择优
汽车轮胎压力监测系统(简称TPMS)主要是由压力传感器、微处理器、天线、射频芯片、电池组成。但由于市场需求的升级,整个系统向小型化发展,系统向更多功能以及更高性能发展。这需要对片上系统进行集成,在集成过程中需要应用到SiP、SoC以及MEMS等先进技术。本文简述了汽车轮胎压力监测系统的要求，介绍的压力传感器YAPS10,使用了SiP技术,将压力传感器、微处理器和射频芯片集成在一颗产品中。文中还分析
近年来，基于铜线互连的信号传输技术已经不能满足高速信号对于带宽及大容量的要求，一般认为对于10Gb/s信号的铜线互连，其最大传输距离以1米为极限。而光互连技术作为一种解决铜线互连瓶颈问题的有效办法，受到越来越多的关注。本论文主要介绍了甚短距离光互连中的关键高速集成电路技术以及针对框架间、板间进行光互连时的模块封装技术，最后就光互连技术急需解决的技术课题及发展前景进行了评述。
CoSiN薄膜可以作为超大规模集成电路Cu布线互连材料使用。本文利用磁控溅射技术制备了CoSiN/Cu/CoSiN/SiO2/Si薄膜。利用四探针测试仪、薄膜测厚仪、原子力显微镜、X射线光电子能谱仪等来检测多层膜电阻率、薄膜厚度、表面形貌、元素含量及价态等。考察亚45nm级工艺条件下CoSiN薄膜对Cu的扩散阻挡性能。实验结果表明,在氩气气氛条件下经500℃30min热退火处理后多层膜的电阻率和成
本文主要研究了22nm栅长的异质栅结构MOSFETs的特性,利用工艺与器件仿真软件Silvaco,模拟了异质栅MOSFETs的阈值电压、亚阈值特性、沟道表面电场及表面势等特性,并与传统的同质栅MOSFETs进行比较。分析结果表明,由于异质栅MOSFETs的栅极由两种不同功函数的材料组成,因而在两种材料界面附近的表面沟道中增加了一个电场峰值,相应地漏端电场比同质栅MOSFETs有所降低,所以在提高沟
本文综述了国内外近年来在绿色环保塑封料研究与开发领域内的最新进展。着重阐述了苯酚-芳烷基型酚醛树脂固化剂、环氧树脂以及塑封料的研究现状与发展趋势。同时介绍了中国科学院化学研究所在相关领域内的研究进展情况。最后对中国绿色环保塑封料产业的发展前景进行了展望。
金属或金属基复合材料具有较高的导热率和良好的机械性能，是理想的电子封装材料，作为热管理材料和部件在电子、照明等领域获得了广泛的应用，其中尤以钨铜、钼铜复合材料最受青睐。本文简述了钨铜、钼铜材料的性能，研究了高致密度超薄板材的钨铜、铝铜封装材料新的制备方法和工艺。采用常规工业级钨粉和铜粉作为原料，经过压坯、烧结等工序，加工出厚度均匀、密度较高的轧制板坯，随后对其进行了大塑性变形加工和热处理，消除了烧
TPMS IC是TPMS系统模块的关键核心器件，需要采用系统级封装(SiP)技术封装。对TPMS IC的一种新型SiP封装技术作了研究分析。在引线框架上引入电路板中介层，改善了芯片间电气互连与分布，增大了引入薄膜电阻电容元件的设计弹性。采用预成型模制部分芯片的封装技术，满足了IC与MEMS芯片不同的封装要求，还增强了SiP产品的可测试性和故障可分析性。采用敞口模封、灌装低应力弹性凝胶和传感器校准测