【摘 要】
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本文讨论了基于柔性PI垫底上的底栅结构TFT器件工艺,TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用SiNx/SiOx双层结构,通过工艺改进解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角
【机 构】
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上海大学 新型显示技术及应用集成教育部重点实验室 上海 200072
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本文讨论了基于柔性PI垫底上的底栅结构TFT器件工艺,TFT器件是基于氧化物IGZO为有源层,栅绝缘层采用SiNx/SiOx双层结构,通过工艺改进解决了双层结构干刻速率不同造成的下切角形状,有效解决了薄膜沉积带入的断线风险;同时在柔性垫底上制作的TFT器件迁移率达到14.8cm2/Vs,阈值电压VTH在O.5V左右,亚域值摆幅SS接近O.5V/decade,TFT器件的开关比Ion/Ioff＞106.
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