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高居里温度弛豫铁电单晶Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3的生长和组分优化
高居里温度弛豫铁电单晶Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3的生长和组分优化
来源 :第十六届全国晶体生长与材料学术会议 | 被引量 : 0次 | 上传用户:cl157967874
【摘 要】
:
本研究围绕着高居里温度弛豫铁电单晶Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PIN-PMN-PT 或PIMNT)的生长和组分优化展开研究,并且探讨了PIMNT 单晶的性能和结构随组分的变化规律.
【作 者】
:
陈建伟
李晓兵
王西安
张海武
邓昊
赵祥永
罗豪甦
【机 构】
:
中国科学院上海硅酸盐研究所信息功能材料与器件研究中心,上海,201800
【出 处】
:
第十六届全国晶体生长与材料学术会议
【发表日期】
:
2012年8期
【关键词】
:
PIMNT
组分
居里温度
低温相变温度
压电性能
畴结构
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本研究围绕着高居里温度弛豫铁电单晶Pb(In1/2Nb1/2)O3-Pb(Mg1/3Nb2/3)O3-PbTiO3(PIN-PMN-PT 或PIMNT)的生长和组分优化展开研究,并且探讨了PIMNT 单晶的性能和结构随组分的变化规律.
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