【摘 要】
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以二次阳极氧化的多孔氧化铝薄膜为模板,一种以溶胶凝胶的方法,先将氧化锡溶胶灌入模板微孔中,在600℃烧结10h得到有序的SnO纳米线阵列;另一种,用电化学沉积的方法,先在模板微孔中沉积金属锡,然后在600℃高温下氧化10h得SnO纳米线阵列.分别采用XRD、SEM和TEM等分析手段对这两种样品进行了表征,结果表明,两种方法均可以制备大面积SnO纳米线阵列.单根纳米线晶型都为四方相多晶结构,均匀,连
【机 构】
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中科院合肥智能机械研究所中国科学院研究生院(合肥) 中科院固体物理研究所中国科学院研究生院(合肥)
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以二次阳极氧化的多孔氧化铝薄膜为模板,一种以溶胶凝胶的方法,先将氧化锡溶胶灌入模板微孔中,在600℃烧结10h得到有序的SnO<,2>纳米线阵列;另一种,用电化学沉积的方法,先在模板微孔中沉积金属锡,然后在600℃高温下氧化10h得SnO<,2>纳米线阵列.分别采用XRD、SEM和TEM等分析手段对这两种样品进行了表征,结果表明,两种方法均可以制备大面积SnO<,2>纳米线阵列.单根纳米线晶型都为四方相多晶结构,均匀,连续,长径比高;不同的是溶胶凝胶方法制备的纳米线粗糙,而电化学沉积方法制备的纳米线光滑,这源于它们不同的生长机理.
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以混合的锌粉和锡粉作为原料,通过热蒸发的方法在沉积有金膜的硅基片上制备出具有"心线-壳层"同轴结构的ZnO/SiO 纳米电缆.扫描和透射电镜的研究表明这种纳米电缆产量很高,长度达到数个微米,并且确认了其"心线-壳层"的独特结构.不同于以往ZnO一维纳米材料的三种快速生长方向,>及>,其ZnO芯的生长方向为[2021 ].本实验中锡粉和金膜分别作为抑制剂和催化剂,通过控制锌粉的蒸发速度以及金硅共熔反
采用自蔓延(SHS)法成功制备了MgB超导块材,样品单相性好,其临界温度T =38.45K,温度转变宽度小于0.4K,临界面积电流J =1.60×10 A/cm (10K,0.5T)、1.65×10 A/cm (20K,0T).SEM照片显示合成的试样为层状结构,层与层之间有空洞,每层由颗粒状晶粒组成,颗粒2~5μm.得到了绝热温度(T )与预热温度的关系曲线.SHS法制备MgB 超导块材工艺简
过渡族金属WS具有层状结构,层与层之间原子结合较弱,易于滑移.因而经常用来在高/低温、重载、真空等油润滑效果不佳的环境下作固体润滑剂.虽然WS的耐高温性能要优于MoS,但由于WS的天然矿物极少,只能用化学方法制备,使得其价格远远高于MoS,因此对其摩擦学行为的研究也远比MoS少.本研究利用热解法在氧化铝模板上合成了具有富勒烯结构的WS和MoS纳米管,并利用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(
本文采用化学和电化学方法在氧化铝模板中进行了聚苯胺的合成并对其成管机理进行分析.提出在合成过程中,模板孔壁表面的双电层结构以及苯胺的聚合产物的电性导致聚苯胺优先在管壁沉积,进而形成聚苯胺纳米管.
金属/气体共晶定向凝固(Gasar)是一种制备气孔呈定向排布的规则多孔金属(Gasarite)的新工艺.本文简要回顾了该工艺的原理和发展现状,介绍了由该工艺制备的规则多孔金属的结构和性能特点及其应用,同时介绍了作者从事该方向研究的一些进展.
首次提出了采用有机小分子原位接枝到炭黑表面的新设想,可实现炭黑的良好分散和结构可控.在具有较大剪切力作用的混炼设备上通过炭黑与有机小分子化合物的干混同时实现了炭黑团聚体的破坏与炭黑表面的有机小分子的接枝反应.利用该方法接枝的炭黑粒子呈单分散分布,粒径在50nm左右.这种纳米炭黑能稳定的分散在有机溶剂中,也可均匀地分散到与接枝小分子相溶性好的聚合物基体内.纳米炭黑分散的聚碳酸酯(PC)复合材料显示了
本文以钡盐和铁盐为原料,柠檬酸为络合剂,采用溶胶-凝胶(sol-gel)自燃烧方法制备了BaFeO纳米晶.使用FT-IR、XRD、DSC-TG测试方法对反应产物进行了表征,并且讨论了煅烧温度对粉末性能参数的影响.结果表明凝胶中Fe、Ba与柠檬酸分子以单齿的形式进行了络合,在210℃时发生了柠檬酸盐的分解.原粉在800℃煅烧1h后,已完全形成了纯净、单一的BaFeO晶相,晶粒大小为35nm,并且随着
以孔径仅约200nm左右的多孔氧化铝膜(AAO)为模板,采用聚合物溶液或熔体浸润模板的物理方法,以市售常规分子量的通用聚合物为原料,首次成功制备了聚苯乙烯、尼龙66、聚丙烯、ABS、热塑性聚氨酯等多种聚合物纳米管及其纳米管阵列.运用扫描电子显微镜(SEM)和透射电子显微镜(TEM)观察了纳米管的微观形貌和阵列结构,探讨了聚合物性质、纳米管制备工艺与纳米管结构及性能的关系,并初步探索了多孔模板法制备
采用共沉淀法合成了纯度较高的钙钛矿结构锡酸盐CaSnO、SrSnO和BaSnO纳米晶,其晶粒的平均粒径分别约为32nm、26nm和26nm.在共沉淀法合成过程中,SrSnO和BaSnO的前驱体在600℃下焙烧就可转化为SrSnO相和BaSnO相,而CaSnO的前驱体则必须通过800℃左右的焙烧才能转化为CaSnO相.